SEMIX603GB12E4IP 27897000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT

SEMIX603GB12E4IP

Срок поставки 4-6 недель

200 505.83 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
6+
12+
Цена
176 131.67 ₽
158 328.33 ₽
142 431.67 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4IP 27897000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

Артикул производителя
SEMIX603GB12E4IP 27897000 SEMIKRON DANFOSS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Код производителя
SEMIX603GB12E4IP 27897000
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
SEMiX® 3p
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Применение
для UPS, инвертор, фотоэлектрика
Производитель
SEMIKRON DANFOSS
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
600А
Ток коллектора в импульсе
1,8кА
Топология
полумост IGBT, термистор, токовый шунт
Электрический монтаж
Press-Fit, винтами

Отзывы не найдены

Описание (semix603gb12e4ip.pdf, 663 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России