SEMIX603GB12E4PV1 27895001, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

SEMIX603GB12E4PV1

Срок поставки 4-6 недель

183 339.17 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
6+
12+
Цена
161 295.00 ₽
144 763.33 ₽
130 350.00 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4PV1 27895001, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Артикул производителя
SEMIX603GB12E4PV1 27895001 SEMIKRON DANFOSS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Код производителя
SEMIX603GB12E4PV1 27895001
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
SEMiX® 3p
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Применение
для UPS, инвертор, фотоэлектрика
Производитель
SEMIKRON DANFOSS
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
600А
Ток коллектора в импульсе
1,8кА
Топология
полумост IGBT, термистор
Электрический монтаж
Press-Fit, винтами

Отзывы не найдены

Описание (semix603gb12e4pv1.pdf, 682 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России