SEMIX603GB12M7P 27895100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

SEMIX603GB12M7P

Срок поставки 4-6 недель

167 655.00 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
6+
12+
Цена
147 306.67 ₽
132 258.33 ₽
119 117.50 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12M7P 27895100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Артикул производителя
SEMIX603GB12M7P 27895100 SEMIKRON DANFOSS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Код производителя
SEMIX603GB12M7P 27895100
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
SEMiX® 3p
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Применение
для UPS, инвертор, фотоэлектрика
Производитель
SEMIKRON DANFOSS
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
600А
Ток коллектора в импульсе
1,2кА
Топология
полумост IGBT, термистор
Электрический монтаж
Press-Fit, винтами

Отзывы не найдены

Описание (semix603gb12m7p.pdf, 668 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России