SH8J31GZETB, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 2Вт; SO8
SH8J31GZETB
Артикул производителя
SH8J31GZETB ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
- — Работаем только юр. лицами
- — Оплата по счету
Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
40нC
Код производителя
SH8J31GZETB
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-60В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
85мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-4,5А
Ток стока в импульсном режиме
-18А
Отзывы не найдены