SH8J62TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -18А; 2Вт; SO8

SH8J62TB1

Срок поставки 4-6 недель

374.15 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
500+
1000+
2500+
5000+
Цена
238.10 ₽
168.37 ₽
145.41 ₽
129.25 ₽
113.10 ₽
95.24 ₽
82.48 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SH8J62TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -18А; 2Вт; SO8" 1.

Артикул производителя
SH8J62TB1 ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
8нC
Код производителя
SH8J62TB1
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
84мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-4,5А
Ток стока в импульсном режиме
-18А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России