Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
18нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SH8J65TB1
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
40,8мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-7А
Ток стока в импульсном режиме
-28А
Отзывы не найдены