SH8J65TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -7А; Idm: -28А; 2Вт; SO8; ESD

SH8J65TB1
000 
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SH8J65TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -7А; Idm: -28А; 2Вт; SO8; ESD" 1.

Артикул производителя
SH8J65TB1 ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
18нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SH8J65TB1
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
40,8мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-7А
Ток стока в импульсном режиме
-28А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены