SH8J66TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -9А; Idm: -36А; 2Вт; SO8; ESD
SH8J66TB1
Артикул производителя
SH8J66TB1 ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
- — Работаем только юр. лицами
- — Оплата по счету
Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
35нC
Код производителя
SH8J66TB1
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
24,7мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-9А
Ток стока в импульсном режиме
-36А
Отзывы не найдены