SH8JB5TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -40В; -8,5А; Idm: -34А; 2Вт; SO8

SH8JB5TB1
Свяжитесь с нами насчёт цены
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SH8JB5TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -40В; -8,5А; Idm: -34А; 2Вт; SO8" 1.

Артикул производителя
SH8JB5TB1 ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
51нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-40В
Обозначение производителя
SH8JB5TB1
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
18,7мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-8,5А
Ток стока в импульсном режиме
-34А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены