Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
50нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-60В
Обозначение производителя
SH8JC5TB1
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-7,5А
Ток стока в импульсном режиме
-30А
Отзывы не найдены