SH8K52GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD

SH8K52GZETB

Срок поставки 4-6 недель

178.57 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
2500+
Цена
143.71 ₽
109.69 ₽
90.99 ₽
84.18 ₽
76.53 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SH8K52GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

Артикул производителя
SH8K52GZETB ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
8,5нC
Код производителя
SH8K52GZETB
Корпус
SOP8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
12А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России