SH8M51GZETB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 3/-2,5А; Idm: 10÷12А
SH8M51GZETB
Артикул производителя
SH8M51GZETB ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
- — Работаем только юр. лицами
- — Оплата по счету
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
8,5/12,5нC
Код производителя
SH8M51GZETB
Корпус
SOP8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100/-100В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
190/340мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
3/-2,5А
Ток стока в импульсном режиме
10...12А
Отзывы не найдены