SH8MA4TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8,5А; Idm: 18А; 3Вт

SH8MA4TB1

Срок поставки 4-6 недель

220.24 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
500+
1000+
2500+
5000+
7500+
Цена
166.67 ₽
123.30 ₽
108.84 ₽
99.49 ₽
91.84 ₽
75.68 ₽
68.03 ₽
63.78 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SH8MA4TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8,5А; Idm: 18А; 3Вт" 1.

Артикул производителя
SH8MA4TB1 ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
15,5/19,6нC
Код производителя
SH8MA4TB1
Корпус
SOP8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30/-30В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
32,5/41,3мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
9/-8,5А
Ток стока в импульсном режиме
18А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России