SI1013CX-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -450мА; Idm: -1,5А

SI1013CX-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

66.33 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
Цена
51.87 ₽
44.22 ₽
25.51 ₽
18.71 ₽
16.16 ₽
13.61 ₽
13.61 ₽
Доступность: 3095 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1013CX-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -450мА; Idm: -1,5А" 1.

Артикул производителя
SI1013CX-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
2,5нC
Код производителя
SI1013CX-T1-GE3
Корпус
SC89
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,19Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,5Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-0,45А
Ток стока в импульсном режиме
-1,5А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России