Москва
 +7(993)080-09-37

SI1013CX-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -450мА; Idm: -1,5А

Написать отзыв
SI1013CX-T1-GE3
58.51 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
Цена
45.76 ₽
39.01 ₽
22.51 ₽
16.50 ₽
14.25 ₽
12.00 ₽
12.00 ₽
Доступность: 95 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI1013CX-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -450мА; Idm: -1,5А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI1013CX-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
2,5нC
Корпус
SC89
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI1013CX-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,19Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,5Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-0,45А
Ток стока в импульсном режиме
-1,5А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России