SI1016CX-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара

SI1016CX-T1-GE3
69.57 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
1500+
3000+
Цена
54.55 ₽
40.32 ₽
34.78 ₽
25.30 ₽
22.13 ₽
20.55 ₽
20.55 ₽
Доступность: 2330 шт.

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "SI1016CX-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара" 1.

Артикул производителя
SI1016CX-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид транзистора
дополнительная пара
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
2/2,5нC
Корпус
SC89, SOT563
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
20/-20В
Обозначение производителя
SI1016CX-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,14Вт
Сопротивление в открытом состоянии
396/756мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
0,49/-0,49А
Ток стока в импульсном режиме

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены