SI1016CX-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара

SI1016CX-T1-GE3
91.39 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
3000+
Цена
64.95 ₽
44.56 ₽
37.76 ₽
25.68 ₽
22.66 ₽
21.15 ₽
Доступность: 445 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI1016CX-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара" 1.

Артикул производителя
SI1016CX-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид транзистора
дополнительная пара
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
2/2,5нC
Корпус
SC89, SOT563
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
20/-20В
Обозначение производителя
SI1016CX-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,14Вт
Сопротивление в открытом состоянии
396/756мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
0,49/-0,49А
Ток стока в импульсном режиме

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России