SI1016CX-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара

SI1016CX-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

102.89 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
3000+
Цена
73.13 ₽
50.17 ₽
42.52 ₽
28.91 ₽
25.51 ₽
23.81 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI1016CX-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара" 1.

Артикул производителя
SI1016CX-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид транзистора
дополнительная пара
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
2/2,5нC
Код производителя
SI1016CX-T1-GE3
Корпус
SC89, SOT563
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
20/-20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,14Вт
Сопротивление в открытом состоянии
396/756мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
0,49/-0,49А
Ток стока в импульсном режиме

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России