SI1023CX-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -450мА; 220мВт

SI1023CX-T1-GE3
000 
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SI1023CX-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -450мА; 220мВт" 1.

Артикул производителя
SI1023CX-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
2,5нC
Корпус
SC89
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI1023CX-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,22Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,4Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-0,45А
Ток стока в импульсном режиме
-1,5А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены