SI1023X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -390мА; 280мВт

SI1023X-T1-GE3
000 
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SI1023X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -390мА; 280мВт" 1.

Артикул производителя
SI1023X-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
1,5нC
Корпус
SC89, SOT563
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±6В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI1023X-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,28Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,7Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-390мА
Ток стока в импульсном режиме
-0,65А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены