SI1024X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 515мА; 280мВт

SI1024X-T1-GE3
140.48 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
500+
1000+
3000+
21000+
Цена
88.37 ₽
56.65 ₽
48.34 ₽
43.05 ₽
39.27 ₽
33.23 ₽
30.21 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI1024X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 515мА; 280мВт" 1.

Артикул производителя
SI1024X-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
0,75нC
Корпус
SC89, SOT563
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±6В
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
SI1024X-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,28Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,25Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
515мА
Ток стока в импульсном режиме
0,65А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России