SI1031R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт

SI1031R-T1-GE3
‍97‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
50+
100+
250+
500+
1000+
3000+
Цена
97 ₽
59 ₽
41 ₽
34 ₽
29 ₽
25 ₽
23 ₽
21 ₽
21 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SI1031R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт" 5.

Артикул производителя
SI1031R-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
1,5нC
Корпус
SC75A
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±6В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI1031R-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,13Вт
Сопротивление в открытом состоянии
8Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-0,14А
Ток стока в импульсном режиме
-0,5А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены