SI1031R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт

SI1031R-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

107.14 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
50+
100+
250+
500+
1000+
3000+
Цена
107.14 ₽
64.63 ₽
45.07 ₽
37.41 ₽
32.31 ₽
27.21 ₽
24.66 ₽
22.96 ₽
22.96 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI1031R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт" 5.

Артикул производителя
SI1031R-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
1,5нC
Код производителя
SI1031R-T1-GE3
Корпус
SC75A
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±6В
Напряжение сток-исток
-20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,13Вт
Сопротивление в открытом состоянии
8Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-0,14А
Ток стока в импульсном режиме
-0,5А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России