SI1036X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 610мА; Idm: 2А

SI1036X-T1-GE3
64.82 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
9000+
24000+
Цена
56.92 ₽
50.59 ₽
29.25 ₽
20.55 ₽
18.18 ₽
15.81 ₽
15.02 ₽
14.23 ₽
14.23 ₽
Доступность: 1967 шт.

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "SI1036X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 610мА; Idm: 2А" 1.

Артикул производителя
SI1036X-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
2нC
Корпус
SC89, SOT563
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SI1036X-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,22Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,1Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
610мА
Ток стока в импульсном режиме

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены