SI1077X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А

SI1077X-T1-GE3
71.15 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
9000+
15000+
21000+
Цена
54.55 ₽
35.57 ₽
26.88 ₽
24.51 ₽
21.34 ₽
18.18 ₽
17.39 ₽
17.39 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "SI1077X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А" 1.

Артикул производителя
SI1077X-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
31,1нC
Корпус
SC89
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI1077X-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,33Вт
Сопротивление в открытом состоянии
188мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-1,75А
Ток стока в импульсном режиме
-8А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены