SI1077X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А

SI1077X-T1-GE3
‍76‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
9000+
15000+
21000+
Цена
59 ₽
38 ₽
29 ₽
26 ₽
23 ₽
20 ₽
19 ₽
19 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SI1077X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А" 1.

Артикул производителя
SI1077X-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
31,1нC
Корпус
SC89
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI1077X-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,33Вт
Сопротивление в открытом состоянии
188мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-1,75А
Ток стока в импульсном режиме
-8А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены