SI1308EDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; SC70; ESD

SI1308EDL-T1-GE3
67.98 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
500+
650+
1000+
Цена
50.59 ₽
43.48 ₽
38.74 ₽
33.99 ₽
24.51 ₽
23.72 ₽
22.92 ₽
Доступность: 1320 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI1308EDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; SC70; ESD" 1.

Артикул производителя
SI1308EDL-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
4,1нC
Корпус
SC70
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SI1308EDL-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
132мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
1,4А
Ток стока в импульсном режиме

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены