Москва
 
+7 (993) 080-09-37
 

SI1317DL-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А

Написать отзыв
SI1317DL-T1-BE3
000 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI1317DL-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SI1317DL-T1-BE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
6,5нC
Корпус
SC70, SOT323
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI1317DL-T1-BE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,27Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-1,4А
Ток стока в импульсном режиме
-6А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены