SI1401EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -25А; 1,8Вт; SC70; ESD

SI1401EDH-T1-GE3
7481 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
3000+
Цена
59.66 ₽
44.51 ₽
41.67 ₽
35.04 ₽
32.20 ₽
28.41 ₽
28.41 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI1401EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -25А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

Артикул производителя
SI1401EDH-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
36нC
Корпус
SC70
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±10В
Напряжение сток-исток
-12В
Обозначение производителя
SI1401EDH-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
34мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-4А
Ток стока в импульсном режиме
-25А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены