Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

SI1900DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 630мА; Idm: 1А

Написать отзыв
SI1900DL-T1-GE3
000 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "SI1900DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 630мА; Idm: 1А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SI1900DL-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
1,4нC
Корпус
SC70-6, SOT363
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SI1900DL-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,7Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
0,63А
Ток стока в импульсном режиме
1А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены