SI1902DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 660мА; Idm: 1А

SI1902DL-T1-GE3
7008 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
25+
100+
500+
3000+
Цена
70.08 ₽
62.50 ₽
55.87 ₽
50.19 ₽
47.35 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SI1902DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 660мА; Idm: 1А" 1.

Артикул производителя
SI1902DL-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
0,8нC
Корпус
SC70
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
SI1902DL-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,27Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,63Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
0,66А
Ток стока в импульсном режиме

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены