SI1922EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,3А; Idm: 4А; 0,8Вт; SC70; ESD

SI1922EDH-T1-GE3
101.19 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
Цена
72.73 ₽
49.01 ₽
41.11 ₽
29.25 ₽
26.88 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI1922EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,3А; Idm: 4А; 0,8Вт; SC70; ESD" 1.

Артикул производителя
SI1922EDH-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
2,5нC
Корпус
SC70
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
SI1922EDH-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
198мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
1,3А
Ток стока в импульсном режиме

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены