SI1967DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -3А

SI1967DH-T1-GE3
000 
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SI1967DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -3А" 1.

Артикул производителя
SI1967DH-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
4нC
Корпус
SC70-6, SOT363
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI1967DH-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Сопротивление в открытом состоянии
790мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-1,3А
Ток стока в импульсном режиме
-3А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены