Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
10нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI2301BDS-T1-E3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,9Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-2,4А
Ток стока в импульсном режиме
-10А
Отзывы не найдены