Москва
 +7(993)080-09-37

SI2301BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -10А; 0,45Вт; SOT23

Написать отзыв
SI2301BDS-T1-GE3
78.59 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
3000+
Цена
65.87 ₽
57.63 ₽
47.90 ₽
38.92 ₽
34.43 ₽
30.69 ₽
26.95 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI2301BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -10А; 0,45Вт; SOT23" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI2301BDS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
10нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI2301BDS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,45Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-2,2А
Ток стока в импульсном режиме
-10А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России