SI2302DDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; 0,46Вт; SOT23

SI2302DDS-T1-GE3
‍59‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
500+
650+
1000+
1300+
2500+
3000+
Цена
53 ₽
48 ₽
37 ₽
27 ₽
25 ₽
24 ₽
22 ₽
20 ₽
20 ₽
Доступность: 3409 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "SI2302DDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; 0,46Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
3,5нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
SI2302DDS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,46Вт
Сопротивление в открытом состоянии
57мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
2,1А

Отзывы не найдены

Описание (si2302dds.pdf, 214 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены