SI2304BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,6А; Idm: 10А; 0,48Вт; SOT23

SI2304BDS-T1-GE3
‍50‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
25+
100+
500+
3000+
Цена
50 ₽
45 ₽
40 ₽
36 ₽
34 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SI2304BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,6А; Idm: 10А; 0,48Вт; SOT23" 3.

Артикул производителя
SI2304BDS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
4нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SI2304BDS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,48Вт
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
2,6А
Ток стока в импульсном режиме
10А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены