SI2304DDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; 1,1Вт; SOT23

SI2304DDS-T1-GE3
‍81‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1300+
1500+
Цена
53 ₽
37 ₽
32 ₽
25 ₽
21 ₽
21 ₽
Доступность: 4442 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "SI2304DDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
2,1нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SI2304DDS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
3,3А

Отзывы не найдены

Описание (si2304dds.pdf, 247 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены