SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -3,5А; Idm: -20А

SI2305CDS-T1-GE3
‍82‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
20+
50+
100+
500+
1000+
1500+
3000+
Цена
39 ₽
36 ₽
32 ₽
30 ₽
25 ₽
23 ₽
22 ₽
22 ₽
Доступность: 2048 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -3,5А; Idm: -20А" 1.

Артикул производителя
SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
30нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-8В
Обозначение производителя
SI2305CDS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-3,5А
Ток стока в импульсном режиме
-20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены