SI2305CDS-T1-GE3, Полевой транзистор P-канальный MOSFET (TrenchFET®), напряжение -8 В, ток -3,5 А, импульсный ток до -20 А

SI2305CDS-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

76.53 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
20+
100+
500+
1000+
3000+
Цена
57.82 ₽
51.02 ₽
37.41 ₽
29.76 ₽
26.36 ₽
24.66 ₽
Доступность: 2473 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2305CDS-T1-GE3, Полевой транзистор P-канальный MOSFET (TrenchFET®), напряжение -8 В, ток -3,5 А, импульсный ток до -20 А" 1.

Артикул производителя
SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
30нC
Код производителя
SI2305CDS-T1-GE3
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-8В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-3,5А
Ток стока в импульсном режиме
-20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России