SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,8А; 1,06Вт; SOT23

SI2308BDS-T1-GE3
98.81 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
500+
1000+
1500+
3000+
Цена
67.98 ₽
49.80 ₽
43.48 ₽
38.74 ₽
34.78 ₽
32.41 ₽
30.04 ₽
Доступность: 94 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,8А; 1,06Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SI2308BDS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
2,3нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Обозначение производителя
SI2308BDS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,06Вт
Сопротивление в открытом состоянии
192мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
1,8А

Отзывы не найдены

Описание (si2308bds.pdf, 257 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены