Москва
 +7(993)080-09-37

SI2309CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,3А; 1,1Вт; SOT23

Написать отзыв
SI2309CDS-T1-GE3
118.53 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
3000+
Цена
81.77 ₽
59.26 ₽
51.76 ₽
36.76 ₽
32.26 ₽
28.51 ₽
Доступность: 10000 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI2309CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,3А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
2,7нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-60В
Обозначение производителя
SI2309CDS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-1,3А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Описание (si2309cds.pdf, 213 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России