SI2315BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23

SI2315BDS-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

141.16 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
250+
500+
1000+
3000+
6000+
Цена
113.95 ₽
99.49 ₽
89.29 ₽
79.93 ₽
68.88 ₽
62.07 ₽
56.12 ₽
48.47 ₽
44.22 ₽
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2315BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SI2315BDS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
15нC
Код производителя
SI2315BDS-T1-GE3
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-12В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,48Вт
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-3А
Ток стока в импульсном режиме
-12А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России