SI2318DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 3А; Idm: 16А; 750мВт

SI2318DS-T1-E3
‍69‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
25+
100+
500+
3000+
Цена
69 ₽
62 ₽
54 ₽
49 ₽
46 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SI2318DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 3А; Idm: 16А; 750мВт" 3.

Артикул производителя
SI2318DS-T1-E3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
10нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
40В
Обозначение производителя
SI2318DS-T1-E3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,75Вт
Сопротивление в открытом состоянии
58мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
16А

Отзывы не найдены

Описание (si2318ds.pdf, 198 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены