Москва
 +7(993)080-09-37

SI2319CDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,4А; Idm: -20А

Написать отзыв
SI2319CDS-T1-BE3
0.00 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI2319CDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,4А; Idm: -20А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI2319CDS-T1-BE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
21нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-40В
Обозначение производителя
SI2319CDS-T1-BE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
108мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-4,4А
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены