SI2319DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А

SI2319DS-T1-E3
‍182‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
106 ₽
96 ₽
85 ₽
76 ₽
Доступность: 2663 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "SI2319DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А" 1.

Артикул производителя
SI2319DS-T1-E3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
17нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-40В
Обозначение производителя
SI2319DS-T1-E3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-2,4А
Ток стока в импульсном режиме
-12А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены