Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SI2319DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3А; Idm: -12А

Написать отзыв
SI2319DS-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
140.31 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
3000+
Цена
119.05 ₽
92.69 ₽
84.18 ₽
73.98 ₽
67.18 ₽
66.33 ₽
63.78 ₽
Доступность: 1724 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3А; Idm: -12А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI2319DS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
17нC
Код производителя
SI2319DS-T1-GE3
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-40В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-3А
Ток стока в импульсном режиме
-12А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России