Москва
 +7(993)080-09-37

SI2319DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3А; Idm: -12А

Написать отзыв
SI2319DS-T1-GE3
123.50 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
3000+
Цена
104.79 ₽
81.59 ₽
74.10 ₽
65.12 ₽
59.13 ₽
58.38 ₽
56.14 ₽
Доступность: 1760 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI2319DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3А; Idm: -12А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI2319DS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
17нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-40В
Обозначение производителя
SI2319DS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-3А
Ток стока в импульсном режиме
-12А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России