SI2323CDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А

SI2323CDS-T1-BE3
000 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI2323CDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

Артикул производителя
SI2323CDS-T1-BE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
25нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI2323CDS-T1-BE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
63мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-6А
Ток стока в импульсном режиме
-20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены