SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23

SI2323DDS-T1-GE3
‍116‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
20+
50+
100+
250+
500+
1000+
Цена
82 ₽
74 ₽
64 ₽
56 ₽
48 ₽
42 ₽
42 ₽
Доступность: 2539 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
13,6нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI2323DDS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
68мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-3,8А
Ток стока в импульсном режиме
-20А

Отзывы не найдены

Описание (si2323dds.pdf, 220 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены