SI2325DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,43А; 0,48Вт; SOT23

SI2325DS-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

273.81 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
50+
100+
500+
1000+
Цена
215.99 ₽
189.63 ₽
137.76 ₽
120.75 ₽
92.69 ₽
89.29 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI2325DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,43А; 0,48Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SI2325DS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
7,7нC
Код производителя
SI2325DS-T1-GE3
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-150В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,48Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,3Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-0,43А

Отзывы не найдены

Описание (si2325ds.pdf, 202 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России