SI2329DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -6А; 1,6Вт; SOT23

SI2329DS-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

164.12 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
Цена
107.14 ₽
79.93 ₽
70.58 ₽
62.07 ₽
Доступность: 2293 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2329DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -6А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SI2329DS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
11,8нC
Код производителя
SI2329DS-T1-GE3
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±5В
Напряжение сток-исток
-8В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-6А

Отзывы не найдены

Описание (si2329ds.pdf, 234 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России