Москва
 +7(993)080-09-37

SI2333CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -7,1А; Idm: -20А

Написать отзыв
SI2333CDS-T1-E3
144.46 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
Цена
108.53 ₽
81.59 ₽
71.86 ₽
53.89 ₽
50.90 ₽
Доступность: 790 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI2333CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -7,1А; Idm: -20А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI2333CDS-T1-E3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
25нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-12В
Обозначение производителя
SI2333CDS-T1-E3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
59мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-7,1А
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России