SI2333CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -7,1А; Idm: -20А

SI2333CDS-T1-E3

Срок поставки 4-6 недель

164.12 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
Цена
123.30 ₽
92.69 ₽
81.63 ₽
61.22 ₽
57.82 ₽
Доступность: 2883 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2333CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -7,1А; Idm: -20А" 1.

Артикул производителя
SI2333CDS-T1-E3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
25нC
Код производителя
SI2333CDS-T1-E3
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-12В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
59мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-7,1А
Ток стока в импульсном режиме
-20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России