SI2333DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23

SI2333DDS-T1-GE3
7292 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
3000+
Цена
70.08 ₽
62.50 ₽
52.08 ₽
48.30 ₽
47.35 ₽
37.88 ₽
35.98 ₽
35.04 ₽
Доступность: 1765 шт.

Срок поставки 6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI2333DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
35нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-12В
Обозначение производителя
SI2333DDS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-5,2А
Ток стока в импульсном режиме
-20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены