Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
18нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-12В
Обозначение производителя
SI2333DS-T1-E3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Сопротивление в открытом состоянии
59мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-5,3А
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Отзывы не найдены