SI2333DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,3А; Idm: -20А

SI2333DS-T1-E3
15625 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
3000+
Цена
135.42 ₽
118.37 ₽
104.17 ₽
97.54 ₽
81.44 ₽
74.81 ₽
72.92 ₽
Доступность: 2324 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "SI2333DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,3А; Idm: -20А" 1.

Артикул производителя
SI2333DS-T1-E3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
18нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-12В
Обозначение производителя
SI2333DS-T1-E3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Сопротивление в открытом состоянии
59мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-5,3А
Ток стока в импульсном режиме
-20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены